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产品属性
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产品参数
SI7113DN-T1-GE3
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-1212-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 13.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 134 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 55 nC
最小工作温度: - 50 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 52 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
系列: SI7
晶体管类型: 1 P-Channel
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 25 S
下降时间: 10 ns
上升时间: 13 ns
最小包装:3000
SI7113DN-T1-GE3
VISHAY
QFN8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装