MOSFET管 STW45N60DM6原装热卖

产品参数

STW45N60DM6

产品种类: MOSFET

RoHS:符合RoHS

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 30 A

Rds On-漏源导通电阻: 99 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.25 V

Vgs - 栅极-源极电压: 25 V

Qg-栅极电荷: 44 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 210 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: MDmesh

系列: STW45N60DM6  

晶体管类型: 1 N-Channel  

商标: STMicroelectronics  

下降时间: 7.3 ns  

上升时间: 5.3 ns

最小包装：600

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