内置MOSFET锂电池保护芯片RB3711B

地区:广东 深圳
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概 述

RB3711B 是一款内置 MOSFET 的单节锂电池
保护芯片。该芯片具有非常低的功耗和非常
低阻抗的内置 MOSFET。该芯片有充电过压,
充电过流,放电过压,放电过流,过热,短
路等各项保护等功能,确保电芯安全,高效
的工作。
RB3711B 采用 SOT-23 封装,外围只需要一个
电阻和一个电容,应用极其简洁,工作安全
可靠。


特 性
1 内置 60 m?
MOSFET
2 SOT-23 封装
3 内置过温保护
4 可耐 9V 充电器电压
5 两重过放电流检测保护
6 超小静态电流和休眠电流
A 静态工作电流为 1.4 uA
B 休眠电流为 0.3 uA
7 符合欧洲 "ROHS" 标准的无铅产品


应 用
单节锂离子可充电电池组
单节锂聚合物可充电电池组
自动激活问题
电阻 R1 阻值 100?-1k?,电容 C1 容值 0-1uF
接电芯芯片能够自动激活,芯片正常工作。


功能描述
RB3711B 监控电池的电压和电流,并通
过断开充电器或者负载,保护单节可充电锂
电池不会因为过充电压、过放电压、过放电
流以及短路等情况而损坏。这些功能都使可
充电电池工作在指定的范围内。该芯片仅需
一颗外接电容和一个外接电阻,MOSFET已内
置,等效电阻的典型值为60mΩ。
RB3711B 支持四种运行模式:正常工作
模式、充电工作模式、放电工作模式和休眠
工作模式。
1. 正常工作模式
如果没有检测到任何异常情况,充电和放电
过程都将自由转换。这种情况称为正常工作
模式。
2. 过充电压情况
在正常条件下的充电过程中,当电池电压高
于过充检测电压(Vocv),并持续时间达到过
充电压检测延迟时间(Tocv)或更长,
RB3711B将控制MOSFET以停止充电。这种情
况称为过充电压情况。如果异常情况在过充
电压检测延迟时间(Tocv)内消失,系统将不
动作。
以下两种情况下,过充电压情况将被释放:
(1). 充电器连接情况下,VM 端的电压低于
充电器检测电压Vcha,电池电压掉至过充释
放电压(VOCR)。
(2). 充电器未连接情况下,电池电压掉至
过充检测电压(Vocv)。当充电器未被连接时,
电池电压仍然高于过充检测电压,电池将通
过内部二极管放电。



型号/规格

RB3711B

品牌/商标

RSEMI/晶准

封装

SOT-23

批号

最新年份

包装方式

盘装