保证原装RB303A RB324A 锂电池保护芯片

保护芯片

RB303A 是一款内置 MOSFET 的单节锂电池保护芯片。

该芯片具有非常低的功耗和非常低阻抗的内置 MOSFET。

该芯片有充电过压，充电过流， 放电过压， 放电过流， 过热， 短路等各项保护等功能， 确保电芯安全， 高效的工作。

RB303A 采用 SOT23-5 封装，外围只需要一个电阻和一个电容， 应用极其简洁， 工作安全可靠

RB303A  过充检测电压4.3V,    过充恢复电压4.15V,  过放检测电压2.75V,  过放恢复电压3.0V, 放电检测电流4A,SOT23-5，

可P对P替代XB5353A/XB5351A/XB5358A

保护芯片

1. 正常工作模式

如果没有检测到任何异常情况， 充电和放电

过程都将自由转换。 这种情况称为正常工作

模式。

2. 过充电压情况

在正常条件下的充电过程中， 当电池电压高

于过充检测电压(Vocv)， 并持续时间达到过

充电压检测延迟时间(Tocv)或更长， RB303A

将控制MOSFET以停止充电。 这种情况称为过

充电压情况。 如果异常情况在过充电压检测

延迟时间(Tocv) 内消失， 系统将不动作。

以下两种情况下， 过充电压情况将被释放：

(1). 充电器连接情况下， VM 端的电压低于

充电器检测电压Vcha， 电池电压掉至过充

释放电压(VOCR)。

(2). 充电器未连接情况下， 电池电压掉至

过充检测电压(Vocv)。 当充电器未被连接时，

电池电压仍然高于过充检测电压 ， 电池将

通过内部二极管放电。

3. 过充电流情况

在充电工作模式下， 如果电流的值超过

ICHA并持续一段时间 (TOCI1) 或更长， 芯

片将控制MOSFET 以停止充电。 这种情况被

称为过充电流情况。 RB303A将持续监控电流

状态， 当连接负载或者充电器断开， 芯片将

释放过充电流情况

4. 过放电压情况

在正常条件下的放电过程中， 当电池电压掉

至过放检测电压(VODV)， 并持续时间达到过

放电压检测延迟时间(TODV) 或更长，

RB303A将切断电池和负载的连接， 以停止放

电。 这种情况被称为过放电压情况。 当放电

控制MOSFET被截止， 内部上拉电流管打开。

当VDD电压小于等于2.2V (典型值) ， 电流

消耗将降低至休眠状态下的电流消耗

(IPDN)。 这种情况被称为休眠情况。 当VDD

电压等于2.4V ( 典型值) 或更高时， 休眠

条件将被释放。 并且， 电池电压大于等于过

放检测释放电压(VODR) 时， RB303A 将回到

正常工作条件。

5. 过放电流情况 (过放电流1和过放电流2

的检测)如果放电电流超过额定值， 且持续

时间大于等于过放电流检测延迟时间， 电池

和负载将被断开。 如果在过放电流检测延迟

时间内， 电流又降至额定值范围之内， 系统

将不动作。 芯片内部下拉电流下拉VM， 当VM

的电压小于或等于过放电流1的参考电压，

过放电流状态将被复位。

6. 负载短路电流情况

若VM管脚的电压小于等于短路保护电压

(VSHORT)， 系统将停止放电电池和负载的连

接将断开。TSHORT是切断电流的延迟时

间。 当VM的电压小于或等于过放电流1的参

考电压， 负载短路状态将被复位。

7. 充电器检测

当处于过放电状态下的电池和充电器相连，

若VM 管脚电压小于等于充电器检测电压

VCHA， 当电池电压大于等于过放检测电压

VODV， RB303A将释放过放电状态。