晶体管FDMA86265P原装现货供应！

制造商 ON Semiconductor

制造商零件编号 FDMA86265P

描述 MOSFET P-CH 150V 1A 6-MLP

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）

原厂标准交货期 9 周

详细描述 表面贴装型-P-通道-150V-1A（Ta）-2.4W（Ta）-6-MicroFET（2x2）

标准包装   3,000

包装   标准卷带  

零件状态 有源

类别 分立半导体产品

FDMA86265P

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 PowerTrench®

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 150V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.2 欧姆 @ 1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 4nC @ 10V

Vgs（最大值） ±25V

FDMA86265P

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 210pF @ 75V

FET 功能 -FDMA86265P

功率耗散（最大值） 2.4W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 6-MicroFET（2x2）

封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘

优势供应：

 SN74HCT244DWR

 FDMA86265P

 SN74HC148DR

 SN74HC27DR

 SN74HC164DR

 SN74HC164DR

 SN74HC32DR

 SN74HC00DR

 SN74HCT245DWR

 SN74HC04N

 SN74HC175DR

 SN74HC125DR

 SN74HC08N

 SN74HC02DR

 SN74HC109DR

 SN74HCT373N

 SN74HCT02DR

 SN74HC20DR

 SN74HC14APWR

 SN74HC374NSR

 SN74HC373ANSR

 SN74HC11DR

 SN74HC245DWR

 SN74HC74DR

 SN74HC74PWR

 SN74HCT374N

 SN74HC540DWR

 SN74HC573PWR

 SN74HC244N

 MAX1701EEE-T

 MAX797CSE

 MAX5919AEEE

 MAX232ECDR

 MAX3100CEE

 MAX3232ECDR

 MAX691ACSE

 MAX3645EEE+T

 MAX1793EUE15+T

 MAX232ACSE+T

 MAX970EEE+T

 MAX308EPE

 MAX232CPE