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产品属性
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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 180 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 16 V
Qg-栅极电荷: 87 nC
配置: Single
Pd-功率耗散: 370 W
封装: Tube
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: Infineon Technologies
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
零件号别名: SP001568730
单位重量: 4 g
IRLS4030TRLPBF
IR
TO-263-3
18+
BTA26-800CWRG 双向可控硅 800V 26A TO-3P
BTA16-800BRG 双向可控硅 16A 800V TO-220
BTA06-800BWRG 双向可控硅 800V 6A TO-220
供应WEEN(NXP)BT137-600E 双向可控硅
NXP恩智浦 BT137-800E TO-220 双向可控硅 原装样品
BT138S-800E 双向可控硅TO-252 12A 800V
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