3DD10硅低频大功率晶体管
地区：浙江 温州
认证：
无
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| 3DD10NPN硅低频大功率晶体管 |
| 品牌 国产 型号 3DD10 应用范围 功率 功率特性 大功率 频率特性 低频 *性 NPN型 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 集电*允许电流 20（A） 集电**大允许耗散功率 200（W） 营销方式 * 产品性质 新品 特点：产品采用三重扩散工艺，*烧毁能力强，二次击穿耐量高，温度稳定性好，*热疲劳能力强。 应用范围：低速开关，低频功率放大，电源调整。 使用温度范围：-55- 175℃ 质量等级：国军标 执行标准：GBJ33A-97 产品电压：50V-600V A-I档 |
否
国产
3DD10
放大
硅(Si)
NPN型
20（A）
200（W）
100（MHz）
面接触型
直插型
金属封装
