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2N5551RLRAG标准包装 2,000
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晶体管类型 NPN
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- 集电极电流(Ic)(最大) 600mA
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电压 - 集电极发射极击穿(最大) 160V
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Vce饱和(最大)@ IB,IC 200mV @ 5mA, 50mA
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电流 - 集电极截止(最大) -
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直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 80 @ 10mA, 5V
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2N5551RLRAG功率 - 最大 625mW
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频率转换 300MHz
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安装类型 Through Hole
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包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
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供应商器件封装 TO-92-3
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包装材料 Tape & Reel (TR)
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包装 3TO-92
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类型 NPN
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引脚数 3
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最大集电极发射极电压 160 V
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集电极最大直流电流 0.6 A
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2N5551RLRAG最小直流电流增益 80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V
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最大工作频率 300 MHz
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最大集电极发射极饱和电压 0.15@1mA@10mA|0.2@5mA@50mA V
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最大集电极基极电压 180 V
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工作温度 -55 to 150 °C
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最大功率耗散 625 mW
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安装 Through Hole
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标准包装 Tape & Reel
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集电极最大直流电流 0.6
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欧盟RoHS指令 Compliant
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最高工作温度 150
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2N5551RLRAG标准包装名称 TO-92
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工作温度 -55
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最大功率耗散 625
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最大基地发射极电压 6
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Maximum Transition Frequency 300
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封装 Tape and Reel
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每个芯片的元件数 1
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最大集电极基极电压 180
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供应商封装形式 TO-92
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最大集电极发射极电压 160
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铅形状 Formed
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电流 - 集电极( Ic)(最大) 600mA
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晶体管类型 NPN
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安装类型 Through Hole
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频率 - 转换 300MHz
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