EM681FV16BU-55LF,8Mbit,16位,SRAM,缓存芯片,memory IC,大陆总

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产品特点：

• 超低功耗，待机电流仅为2uA

• 静态随机存储器

• Process Technology : 0.15μm Full CMOS
• Organization : 512K x 16 bit
• Power Supply Voltage : 2.7V ~ 3.6V

• Low Data Retention Voltage : 1.5V(Min.)
• Three state output and TTL Compatible

• Package Type : 48-FPBGA, 44-TSOP2

产品系列:

Part Number (型号）	Operating Temperature （操作温度）	Vcc Range （电压范围）	Speed （速度）	Power Dissipation（功耗）		PKG Type （封装形式）
				(ISB1, Typ.)待机电流	(ICC1.Max.) 最大工作电流
EM681FV16B	Industrial (-40 ~ 85oC)	2.7~3.6V	45/55/70ns	2 µA	4mA	KGD（裸片）
EM681FV16B-xxLF						48-FPBGA
EM681FV16BU-xxLF						44-TSOP2

备注：型号中的“xx”表示速度。

产品PIN脚定义:

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"

类型

存储器

品牌/商标

EMLSI

型号/规格

EM681FV16BU-55LF

封装

44TOP2,48FBGA

批号

12+

属性

属性值