SCTH35N65G2V-7AG/35N65AG 晶体管 原装现货

制造商：STMicroelectronics  

FET类型：N 通道  

技术：SiCFET（碳化硅）  

漏源电压： 650 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 45A（Tc）  

驱动电压：18V-20V  

不同Id、Vgs 时导通电阻： 67毫欧 @ 20A，20V  

不同Id时 Vgs(th)： 3.2V @ 1mA  

不同Vgs时栅极电荷：73 nC @ 20 V  

Vgs：+22V，-10V  

不同Vds时输入电容：1370 pF @ 400 V  

功率耗散：208W（Tc）  

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型：表面贴装型  

供应商器件封装：H2PAK-7  

封装/外壳：TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA  

基本产品编号：SCTH35

科时进电子有限公司介绍：

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