BSB028N06NN3 G MOSFET管 原装现货 配单

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BSB028N06NN3 G 介绍： 

制造商: Infineon  

产品种类: MOSFET  

安装风格: SMD/SMT  

封装 / 箱体: WDSON-2-3  

晶体管极性: N-Channel  

通道数量: 1 Channel  

Vds-漏源极击穿电压: 60 V  

Id-连续漏极电流: 90 A  

Rds On-漏源导通电阻: 2.8 mOhms  

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V  

Qg-栅极电荷: 108 nC  

工作温度: - 40 C ~ + 150 C

 Pd-功率耗散: 78 W  

通道模式: Enhancement  

下降时间: 6 ns  

正向跨导值: 42 S  

高度: 0.7 mm  

长度: 6.35 mm  

上升时间: 9 ns  

工厂包装数量: 5000  

子类别: MOSFETs  

晶体管类型: 1 N-Channel  

典型关闭延迟时间: 38 ns  

典型接通延迟时间: 21 ns  

宽度: 5.05 mm  

单位重量: 86.370 mg

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