BSB012NE2LXI 氮化镓场效应晶体MOS管 现货

地区:广东 深圳
认证:

深圳市科时进电子有限公司

金牌会员14年

全部产品 进入商铺

BSB012NE2LXI 氮化镓场效应晶体MOS管 现货

BSB012NE2LXI 氮化镓场效应晶体MOS管 现货BSB012NE2LXI 氮化镓场效应晶体MOS管 现货

BSB012NE2LXI特征 优化的synccfetforhighperformancebuckconverter 集成monolithicSchottkylikediode 薄型(《0.7毫米) 100%雪崩测试 100% rg测试 双面冷却 兼容withDirectFET封装MXfootprintandoutline1) 符合目标应用的资格) 无铅电镀;RoHS顺从性

BSB056N10NN3 G介绍: 

类别:分立半导体产品晶体管FET,MOSFET单 FET,MOSFET  

制造商Infineon Technologies  

系列OptiMOS?   

FET类型N通道  

技术MOSFET(金属氧化物)  

漏源电压25 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)170A(Tc)  

驱动电压4.5V-10V  

不同Id、Vgs 时导通电阻1.2 毫欧 @ 30A,10V  

不同Id 时 Vgs(th)2V @ 250μA  

不同Vgs 时栅极电荷82 nC @ 10 V  

Vgs±20V  

不同Vds 时输入电容 (Ciss)5852 pF @ 12 V  
功率耗散2.8W(Ta),57W(Tc)  

工作温度-40°C ~ 150°C  

安装类型表面贴装型  

供应商器件封装MG-WDSON-2,CanPAK M?  

封装/外壳3-WDSON  

科时进电子有限公司介绍:

深圳市科时进电子有限公司创立于1993年,是一家集渠道代理与分销的半导体公司,合作伙伴遍布全世界。优良的品质,强大的库存满足了客户的采购需求,覆盖了广泛的大量现货、订货渠道、新产品的拓展资源等优势,为广大国内外客户提供有性价比的产品及服务。提升您的产品,提高您的竞争力,深圳市科时进电子有限公司是您值得信赖的合作伙伴!

主营品牌:INFINEON(英飞凌)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、MICROCHIP(微芯)NS(国半)、VISHAY(威世)、NXP(恩智浦)、TI(德州仪器)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、RENESAS(瑞萨)、TOSHIBA(东芝)、MAXIM(美信)等等。


主营类型:逻辑、运放、电源、接口、保护、模拟、驱动、触摸、收音、射频、稳压、升压、开关、音频、时钟、转换器、视频、充电、降压、等其他一系列IC,汽车电路IC,智能高侧电源开关,MOS开关,高电流电机驱动。产品致力于汽车电路,工业自动化,智能家居,医疗设备领域的解决方案及技术支持。


业务:国外代理商密切合作、提供直接的货源、BOM配套、现货急缺物料、PPV项目、降低运营成本、减少产品的流通环节、呆料库存处理、小批量供用…等等解决需求。

 

 

 

型号/规格

BSB012NE2LXI

品牌/商标

Infineon Technologies

封装

MG-WDSON-2

批号

21+

数量

150000