BSB012NE2LXI 氮化镓场效应晶体MOS管 现货

BSB012NE2LXI 氮化镓场效应晶体MOS管 现货

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BSB012NE2LXI特征 优化的synccfetforhighperformancebuckconverter 集成monolithicSchottkylikediode 薄型（《0.7毫米） 100%雪崩测试 100% rg测试 双面冷却 兼容withDirectFET封装MXfootprintandoutline1） 符合目标应用的资格） 无铅电镀；RoHS顺从性

BSB056N10NN3 G介绍： 

类别：分立半导体产品晶体管FET，MOSFET单 FET，MOSFET  

制造商：Infineon Technologies  

系列：OptiMOS?   

FET类型：N通道  

技术：MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压：25 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：170A（Tc）  

驱动电压：4.5V-10V  

不同Id、Vgs 时导通电阻：1.2 毫欧 @ 30A，10V  

不同Id 时 Vgs(th)：2V @ 250μA  

不同Vgs 时栅极电荷：82 nC @ 10 V  

Vgs：±20V  

不同Vds 时输入电容 (Ciss)：5852 pF @ 12 V  
功率耗散：2.8W（Ta），57W（Tc）  

工作温度：-40°C ~ 150°C  

安装类型：表面贴装型  

供应商器件封装：MG-WDSON-2，CanPAK M?  

封装/外壳：3-WDSON  

科时进电子有限公司介绍：

深圳市科时进电子有限公司创立于1993年，是一家集渠道代理与分销的半导体公司，合作伙伴遍布全世界。优良的品质，强大的库存满足了客户的采购需求，覆盖了广泛的大量现货、订货渠道、新产品的拓展资源等优势，为广大国内外客户提供有性价比的产品及服务。提升您的产品，提高您的竞争力,深圳市科时进电子有限公司是您值得信赖的合作伙伴！

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