晶体管-MOSFET-IXYS IXFH10N100原装

半导体-分立半导体-晶体管-MOSFET-IXYS IXFH10N100
制造商编号：IXFH10N100
制造商： IXYS
说明：MOSFET 1KV 10A
产品种类: MOSFET 
RoHS:  环保无铅
技术: Si 
安装风格: Through Hole 
封装 / 箱体: TO-247-3 
通道数量: 1 Channel 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV 
Id-连续漏极电流: 10 A 
Rds On-漏源导通电阻: 1.2 Ohms 
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 
最小工作温度: - 55 C 
最大工作温度: + 150 C 
Pd-功率耗散: 300 W 
配置: Single 
通道模式: Enhancement 
商标名: HyperFET 
封装: Tube 
高度: 21.46 mm  
长度: 16.26 mm  
系列: HiPerFET  
晶体管类型: 1 N-Channel  
宽度: 5.3 mm  
商标: IXYS  
正向跨导 - 最小值: 10 S  
下降时间: 32 ns  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 33 ns  
工厂包装数量: 30  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 62 ns  
典型接通延迟时间: 21 ns  
单位重量: 6.500 g
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：1000V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.4 欧姆 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：6.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：56nC @ 10V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：3030pF @ 25V
功率耗散（最大值）：380W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247AD（IXFH）

封装/外壳：TO-247-3