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积层电容的材质及规格和结构
贴片电容目前使用COG(NPO)、X7R、Y5V、 Z5U、等不同的材质规格 .
Z5U电容器
Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器.这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本.对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量.但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%.
尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围.尤其是在退耦电路的应用中.
Z5U电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围 +10℃ --- +85℃ ,温度特性 +22% ---56% ,介质损耗 最大 4% .
Z5U基本上现在已经淘汰,很少使用.
Y5V电容器
Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器,在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%.
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器.
Y5V电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围 -30℃ --- +85℃
温度特性 +22% ---- -82%
介质损耗 最大 5%
实际生产时是提供+80%---20%的误差范围.
X7R电容器
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器.当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的.
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%.
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下.它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大.
一般使用的容量误差有:K级±10%,M级±20%.
如果需要K级±10%,M级±20%的电容那就选用X7R材料元件.
COG(NPO)电容器
COG(NPO)是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器.
COG(NPO)电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一.在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC.NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的.其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好.
一般使用的容量误差有:K级±10%,J级±5%.
NPO电容器适合,用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容.
积层电容的材质及规格和结构
贴片电容目前使用COG(NPO)、X7R、Y5V、 Z5U、等不同的材质规格 .
Z5U电容器
Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器.这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本.对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量.但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%.
尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围.尤其是在退耦电路的应用中.
Z5U电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围 +10℃ --- +85℃ ,温度特性 +22% ---56% ,介质损耗 最大 4% .
Z5U基本上现在已经淘汰,很少使用.
Y5V电容器
Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器,在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%.
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器.
Y5V电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围 -30℃ --- +85℃
温度特性 +22% ---- -82%
介质损耗 最大 5%
实际生产时是提供+80%---20%的误差范围.
X7R电容器
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器.当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的.
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%.
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下.它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大.
一般使用的容量误差有:K级±10%,M级±20%.
如果需要K级±10%,M级±20%的电容那就选用X7R材料元件.
COG(NPO)电容器
COG(NPO)是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器.
COG(NPO)电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一.在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC.NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的.其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好.
一般使用的容量误差有:K级±10%,J级±5%.
NPO电容器适合,用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容.
