东芝 可控硅双通道 TLP291-4

东芝 可控硅双通道 TLP291-4

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普通可控硅最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成可控硅，就可以构成可控整流电路。现在我画一个最简单的单相半波可控整流电路〔图4(a)〕。在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，可控硅被触发导通。现在，画出它的波形图〔图4(c)及(d)〕，可以看到，只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出(波形图上阴影部分)。Ug到来得早，可控硅导通的时间就早;Ug到来得晚，可控硅导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α;在每个正半周内可控硅导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示可控硅在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。

东芝 可控硅双通道 TLP291-4

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Programmable Controllers Power Supplies The Toshiba TLP291-4 consists of photo transistor, optically coupled to a gallium arsenide infrared emitting diode. TLP291-4 is housed in the SO16 package, very small and thin coupler. Since TLP291-4 are guaranteed wide operating temperature (Ta=-55 to 110 ˚C), it’s suitable for high-density surface mounting applications such as programmable controllers and hybrid ICs. z Collector-Emitter Voltage : 80 V (min) z Current Transfer Ratio : 50% (min) Rank GB : 100% (min) z Isolation Voltage : 2500 Vrms (min) z Guaranteed performance over -55 to 110 ˚C z UL approved : UL1577 , File No. E67349 cUL approved : CSA Component Acceptance Service No.5A z Option (V4) type VDE approved : EN60747-5-2 (Note) : When a EN60747-5-2 approved type is needed, Please designate “Option(V4)” z Construction mechanical rating Creepage distance : 5.0 mm(min) Clearance : 5.0 mm(min) Insulation thickness : 0.1 mm(min)

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