供应FQT1N80TF-WS 分立半导体产品 晶体管
地区：广东 深圳
认证：
无
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FQT1N80TF-WS
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FQT1N80TF-WS
漏源电压（Vdss） | 800 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压 Rds On， Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻 | 20 欧姆 @ 100mA，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th) | 5V @ 250μA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg) | 7.2 nC @ 10 V | |
Vgs（ | ±30V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（ | 195 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散 | 2.1W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 |
FQT1N80TF-WS
ON
SOT223
1043+
表面贴装型
- 30 V, + 30 V
-55°C ~ 150°C
卷带
