FQT1N60CTF-WS 分立半导体产品 晶体管

地区:广东 深圳
认证:

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FQT1N60CTF-WS/

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FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压 
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻 
11.5 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th) 
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg) 
6.2 nC @ 10 V
Vgs 
不同 Vds 时输入电容 (Ciss) 
170 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散 
2.1W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型

型号/规格

FQT1N60CTF-WS

品牌/商标

ON

封装

SOP8

批号

16+

安装

表面贴装型

电压

10V

工作温度

-55°C ~ 150°C

包装

卷带