汇创佳电子销售原装2N7002-7-F

数据列表2N7002 Datasheet

标准包装  3,000

包装  标准卷带 

零件状态    在售

类别   分立半导体产品

产品族    晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）60V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）7.5 欧姆 @ 50mA，5V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250μAVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）50pF @ 25VFET 功能-功率耗散（最大值）370mW（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装SOT-23-3封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3