汇创佳电子新到原装SPW47N60C3

数据列表SPW47N60C3

标准包装  240

包装     管件 

零件状态    不適用於新設計

类别     分立半导体产品

产品族    晶体管 - FET，MOSFET - 单系列CoolMOS™

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）650V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）70 毫欧 @ 30A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.9V @ 2.7mA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）320nC @ 10VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）6800pF @ 25VFET 功能-功率耗散（最大值）415W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装PG-TO247-3封装/外壳TO-247-3