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产品属性
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数据列表IRFPS37N50A
标准包装 25
包装 管件
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单系列-
规格FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)500V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)36A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)130 毫欧 @ 22A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)180nC @ 10VVgs(最大值)±30V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)5579pF @ 25VFET 功能-功率耗散(最大值)446W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型通孔供应商器件封装SUPER-247(TO-274AA)封装/外壳TO-274AA
500V
36A
TO-274AA
-55°C ~ 150°C