汇创佳电子销售原装SI4166DY-T1-GE3

地区:广东 深圳
认证:

深圳市汇创佳电子科技有限公司

金牌会员13年

全部产品 进入商铺

数据列表SI4166DY

标准包装  2,500

包装  标准卷带

 零件状态    在售

类别   分立半导体产品

产品族   晶体管 - FET,MOSFET - 单系列TrenchFET®

规格

FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)30.5A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)3.9 毫欧 15A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.4V  250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)65nC 10VVgs(最大值)±20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)2730pF  15VFET 功能-功率耗散(最大值)3W(Ta),6.5W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装供应商器件封装8-SO封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)


电压

30V

电流

30.5A

工作温度

-55°C ~ 150°C(TJ)

封装

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)