图文详情
产品属性
相关推荐
数据列表SI4166DY
标准包装 2,500
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单系列TrenchFET®
规格
FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)30.5A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)3.9 毫欧 15A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.4V 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)65nC 10VVgs(最大值)±20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)2730pF 15VFET 功能-功率耗散(最大值)3W(Ta),6.5W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装供应商器件封装8-SO封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
30V
30.5A
-55°C ~ 150°C(TJ)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)