汇创佳电子销售原装SI2319CDS-T1-GE3

数据列表SI2319CDS

标准包装  3,000

包装    标准卷带 

零件状态   在售

类别  分立半导体产品

产品族   晶体管 - FET，MOSFET - 单系列TrenchFET®

规格FET 类型P 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）40V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）77 毫欧 3.1A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V   250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）21nC 10VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）595pF  20VFET 功能-功率耗散（最大值）1.25W（Ta），2.5W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装SOT-23-3（TO-236）封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3