汇创佳电子销售原装SI7172DP-T1-GE3

数据列表SI7172DP

标准包装  3,000

包装     标准卷带

零件状态   在售

类别   分立半导体产品

产品族   晶体管 - FET，MOSFET - 单系列TrenchFET®

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）200V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）70 毫欧  5.9A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V    250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）77nC 10VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2250pF   100VFET 功能-功率耗散（最大值）5.4W（Ta），96W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装PowerPAK® SO-8封装/外壳PowerPAK® SO-8