汇创佳电子销售原装 SISA14DN-T1-GE3

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数据列表SISA14DN

标准包装  3,000

包装    标准卷带

 零件状态   在售

类别   分立半导体产品

产品族  晶体管 - FET,MOSFET - 单系列TrenchFET®

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)20A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)5.1 毫欧 @ 10A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)29nC @ 10VVgs(最大值)+20V,-16V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1450pF @ 15VFET 功能-功率耗散(最大值)3.57W(Ta),26.5W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装供应商器件封装PowerPAK® 1212-8封装/外壳PowerPAK® 1212-8

电压

4.5V,10V

电流

20A(Tc)

工作温度

-55°C ~ 150°C(TJ)

封装

PowerPAK® 1212-8