汇创佳电子销售原装 SISA14DN-T1-GE3

数据列表SISA14DN

标准包装  3,000

包装    标准卷带

 零件状态   在售

类别   分立半导体产品

产品族  晶体管 - FET，MOSFET - 单系列TrenchFET®

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）5.1 毫欧 @ 10A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）29nC @ 10VVgs（最大值）+20V，-16V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1450pF @ 15VFET 功能-功率耗散（最大值）3.57W（Ta），26.5W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装PowerPAK® 1212-8封装/外壳PowerPAK® 1212-8