新到进口原装IRFP250N

类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HEXFET®

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）200V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）75 毫欧 @ 18A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）123nC @ 10VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2159pF @ 25VFET 功能-功率耗散（最大值）214W（Tc）工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-247AC