汇创佳电子分销TPC8111
地区：广东 深圳
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产品属性
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| 类别 | 分立半导体产品 | |
|---|---|---|
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | ||
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 系列 | - | |
| 包装 | 带卷（TR） | |
| 零件状态 | 过期 | |
| FET 类型 | P 沟道 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V | |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 11A（Ta） | |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 1mA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 107nC @ 10V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5710pF @ 10V | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| FET 功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） | |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 12 毫欧 @ 5.5A，10V | |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 供应商器件封装 | 8-SOP（5.5x6.0） | |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
4V，10V
11A（Ta）
150°C（TJ）
8-SOIC
