汇创佳电子分销IRLR8729TRPBF
地区:广东 深圳
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无
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产品属性
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类别 | 分立半导体产品 | |
---|---|---|
晶体管 - FET,MOSFET - 单 | ||
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | HEXFET® | |
包装 | 带卷(TR) | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | N 沟道 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源极电压(Vdss) | 30V | |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 58A(Tc) | |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 25μA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 16nC @ 4.5V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1350pF @ 15V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 55W(Tc) | |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 8.9 毫欧 @ 25A,10V | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装 | |
供应商器件封装 | D-Pak | |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
4.5V,10V
58A
-55°C ~ 175°C(TJ)
\tTO-252-3,