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汇创佳电子销售原装NTR0202PLT1G

地区：广东 深圳
认证： 无

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数据列表 N(V)TR0202PL
PCN 设计/规格 Copper Wire 26/May/2009
SOT23 16/Sep/2016
产品目录页面 1558 (CN2011-ZH PDF)
产品属性 选取全部项目
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商

ON Semiconductor

系列 -
包装  带卷（TR） 
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 400mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 2.18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 70pF @ 5V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 225mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 800 毫欧 @ 200mA，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

电压 - 电源

±20V

功率（W

225mW（Ta）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

封装/外壳

SOT-23-3（TO-236）