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汇创佳电子销售原装IKW50N60H3

地区：广东 深圳
认证： 无

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数据列表 IKW50N60H3
其它有关文件 Part Number Guide
PCN 过时产品/ EOL Mult Dev EOL 16/Sep/2016
PCN 设计/规格 Datasheet Update 03/Jun/2014
产品属性 选取全部项目
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 TrenchStop®
包装  管件 
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值） 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 200A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，50A
功率 - 最大值 333W
开关能量 2.36mJ
输入类型 标准
栅极电荷 315nC
25°C 时 Td（开/关）值 23ns/235ns
测试条件 400V，50A，7 欧姆，15V
反向恢复时间（trr） 130ns
工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 PG-TO247-3

电压 - 电源

600V

电流

200A

工作温度

-40°C ~ 175°C（TJ）

封装/外壳

TO-247-3