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产品属性
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深圳市汇创佳电子科技有限公司
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
制造商零件编号
FQPF8N60CFT
描述
MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F
扩展描述
N-Channel 600V 6.26A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
6.26A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
36nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1255pF @ 25V
Vgs(最大值)
±30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
48W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
1.5 欧姆 @ 3.13A,10V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F
600V
48W
-55°C ~ 150°C(TJ)
TO-220F