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产品属性
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深圳市汇创佳电子科技有限公司
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商
STMicroelectronics
系列
SuperMESH3™
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
880pF @ 50V
Vgs(最大值)
±30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
30W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
1.3 欧姆 @ 2.8A,10V
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FP
650V
30W(Tc)
150°C(TJ)
TO-220FP