汇创佳电子销售原装IRLML2060TRPBF
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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深圳市汇创佳电子科技有限公司
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
带卷（TR）
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 25μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
0.67nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
64pF @ 25V
Vgs（最大值）
±16V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
480 毫欧 @ 1.2A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
60V
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ
SOT-23-3
