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汇创佳电子销售原装FDP3652

地区：广东 深圳
认证： 无

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深圳市汇创佳电子科技有限公司 朱先生

数据列表 FDB3652, FDP3652
TO220B03 Pkg Drawing
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
PCN 封装 Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
产品目录页面 1605 (CN2011-ZH PDF)
产品属性 选取全部项目
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商

Fairchild/ON Semiconductor

系列 PowerTrench®
包装  散装 
零件状态 不可用于新设计
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Ta），61A（Tc）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 53nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2880pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 150W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 16 毫欧 @ 61A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220-3

电压 - 电源

100V

电流 - 电源

9A（Ta），61A（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

封装/外壳

TO-220-3