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汇创佳电子销售原装TK4A60DA

地区：广东 深圳
认证： 无

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深圳市汇创佳电子科技有限公司 朱先生


数据列表 TK4A60DA
产品属性 选取全部项目
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列 π-MOSVII
包装  管件 
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.5A（Ta）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 490pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） -
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.2 欧姆 @ 1.8A，10V
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220SIS
封装/外壳 TO-220-3 整包

电压 - 电源

600V

电流

3.5A（Ta）

工作温度

150°C（TJ）

封装/外壳

TO-220SIS