汇创佳电子销售原装EPC2001

地区:广东 深圳
认证:

深圳市汇创佳电子科技有限公司

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深圳市汇创佳电子科技有限公司 朱先生


数据列表 EPC2001 Datasheet
应用说明 Second Generation eGaN® FETs
Assembling eGaN® FETs
Using eGaN® FETs
产品培训模块 Second Gen Lead Free eGaN FETs Overview
Paralleling eGaN® FETs
Driving eGaN FETs with LM5113
视频文件 EPC eGaN FETs -- Another Geek Moment | DigiKey
RoHS指令信息 Lead Free/RoHS Statement
特色产品 eGaN™ FETs
Development Board EPC9013 for EPC2001
EPC9118 Demonstration Board
EPC Low Voltage eGaN® FETs
参考设计库 EPC9102: 12V @ 8 ~ 17A, 48V in
PCN 设计/规格 EPC20xx Material 10/Apr/2013
PCN 组件/产地 EPC2yyy Family Process Change 12/Dec/2013
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

EPC

系列 eGaN®
包装  带卷(TR) 
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 GaNFET(氮化镓)
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 50V
Vgs(最大值) +6V,-5V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) -
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 7 毫欧 @ 25A,5V
工作温度 -40°C ~ 125°C (TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 模具剖面(11 焊条)
封装/外壳 模具

电压

+6V,-5V

电流

25A(Ta)

封装

模具剖面(11 焊条)

工作温度

-40°C ~ 125°C (TJ)