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FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 915mA(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 230 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 1.82nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 110pF @ 16V
功率 - 最大值 300mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-75,SOT-416
供应商器件封装 SC-75,SOT-416
电压

20V

功率

300mW

输入电容

110pF @ 16V

工作温度

-55°C ~ 150°C(TJ)