汇创佳电子分销NTS2101PT1G

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FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压(Vdss) 8V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.4A(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 6.4nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 640pF @ 8V
功率 - 最大值 290mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-70,SOT-323
供应商器件封装 SC-70-3(SOT323)
电压

8V

功率

290mW

输入电容

640pF @ 8V

工作温度

-55°C ~ 150°C(TJ)