汇创佳电子分销DMN2005LP4K-7

地区:广东 深圳
认证:

深圳市汇创佳电子科技有限公司

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FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.5 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 41pF @ 3V
功率 - 最大值 200mW
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 3-XFDFN
供应商器件封装 X2-DFN1006-3
电压

20V

功率

200mW

输入电容

41pF @ 3V

工作温度

-65°C ~ 150°C(TJ)