汇创佳电子分销RUM003N02T2L
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|
| FET 功能 | 逻辑电平栅极，1.8V 驱动 |
| 漏源极电压（Vdss） | 20V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 300mA（Ta） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 1 欧姆 @ 300mA，4V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 25pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 150mW |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 供应商器件封装 | VMT3 |
20V
150mW
25pF @ 10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
