汇创佳电子分销NTR0202PLT1G

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FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 800 毫欧 @ 200mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 2.18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 70pF @ 5V
功率 - 最大值 225mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
电压

20V

功率

225mW

输入电容

70pF @ 5V

工作温度

-55°C ~ 150°C(TJ)