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深圳市汇创佳电子科技有限公司 朱先生 欢迎来电咨询!
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
超级结
漏源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
15.8A(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
190 毫欧 @ 7.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.7V @ 1.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
43nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
1350pF @ 300V
功率 - 最大值
40W
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 全封装,隔离接片
600V
15.8A(Ta)
TO-220-3 全封装,隔离接片
150°C(TJ)