供应TK16A60W5

地区:广东 深圳
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类别

分立半导体产品

家庭

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列 -
包装  管件 
零件状态 在售
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 超级结
漏源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15.8A(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 7.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 1.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 43nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1350pF @ 300V
功率 - 最大值 40W
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 全封装,隔离接片

电压

600V

电流

15.8A(Ta)

封装

TO-220-3 全封装,隔离接片

工作温度

150°C(TJ)