供应SSM3J332R

地区:广东 深圳
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类别

分立半导体产品

家庭

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列 -
包装  带卷(TR) 
零件状态 在售
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能 逻辑电平栅极,1.8V 驱动
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 42 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 8.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 560pF @ 15V
功率 - 最大值 1W
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-23-3 扁平引线

电压

30V

电流

6A

封装

SOT-23-3 扁平引线

工作温度

150°C(TJ)