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深圳市汇创佳电子科技有限公司 朱先生 欢迎来电咨询!
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
FET 类型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能
逻辑电平栅极,1.8V 驱动
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
6A(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
42 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
8.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
560pF @ 15V
功率 - 最大值
1W
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-23-3 扁平引线
30V
6A
SOT-23-3 扁平引线
150°C(TJ)