AO4441 MOS(场效应管) SOP8 AOS 万代

     深圳市鸿博高科电子有限公司成立于2008年，是一家专业经营高品质被动电子元器件，以全球最大被动元器件供应商日本村田为主导方向的经销商。2009年公司获得村田公司的鼎力支持，代理经销村田全系列贴片电容（高容值，高电压，大尺寸）、电感、滤波器等产品的销售。

现公司与华新(WALSIN) 、三环、国巨（YAGEO）、TDK、村田（muRata）、三星(SAMSUNG)、AVX、厚声（UNI-OHM）、旺诠等多家厂商合作， 主要代理经销的产品有贴片电容、贴片钽电容、电阻、电感、磁珠；蓝箭 长电 LRC ON ST系列品牌二三极管、高频管等多种元件，备有大量现货库存，同时也为厂商提供专业的配套服务。

多年来一直致力于,汽车电子、通讯、PC、消费类电子、仪器仪表、工控、医疗器械LED照明等行业，提供高品质，高质量的元器件产品，作为行业中的佼佼者，公司的电子元器件供应，一直处于行业领先地位。

AO4441 MOS(场效应管) SOP8 AOS

商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss） 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时） 4A
栅源极阈值电压 3V @ 250uA
漏源导通电阻 100mΩ @ 4A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C） 3.1W
类型 P沟道

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1120pF @ 30V
功率 - 最大值：3.1W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC

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库存展示：

深圳市鸿博高科电子有限公司

网址：https://szhbgk.com/xbw

本公司一直专注于被动电子元器件,本公司《以质取胜、以诚取信、质量第一、优质服务》的企业方针，以高品质的产品,优势的价格，型号齐全，精密大功率，偏冷门元件。

公司主营全系列SMD、DIP　电容、电阻、电感、磁珠、钽电容、EMI静噪滤波器、NTC热敏、压敏、保险丝、场效管、二三极管、微调电位器...

分销及代理的品牌有;Panasonic/松下、MURATA/村田、TDK、TAIYO/太诱、NIPPON、NICHICON、RUBYCON/红宝石、EPOCS、AVX、KEMET/集美、VISHAY/威士、YAGEO/国巨...

公司竭诚为各厂家配套服务，欢迎来人来电查询订购，衷心希望成为您生意上最信赖的合作伙伴