供应东沅 FKBB6566 N沟道MOS管 常备库存

Fet/东沅 FKBB6566 PRPAK3x3 N沟道60V快速开关MOSFET

FKBB6566额定参数

● 漏极-源极电压：65V
● 栅源电压：±20V
● 连续漏极电流
ID@TC=25℃：60A
ID@TC=100℃：37A
● 脉冲漏极电流：130A
● 单脉冲雪崩能量：92.5mJ
● 雪崩电流：43A
● 总功耗：44.6W
● 储存温度范围：-55至150℃
● 工作接点温度范围：-55至150℃

FKBB6566电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）
● 漏极-源极击穿电压：65V
● 静态漏极源导通电阻
VGS=10V，ID=20A:4.4~5.2mΩ
VGS=4.5V，ID=10A:6.4~7.8mΩ
● 栅极阈值电压：1.2~2.3V
● 漏源漏电流
VDS=60V，VGS=0V，TJ=25℃：1uA
VDS=60V，VGS=0V，TJ=55℃：5uA
● 栅源漏电流：±100nA
● 栅极电阻：1.3Ω
● 栅极总电荷（10V）：33.4nC
● 栅极总电荷（4.5V）：17.8nC
● 栅极-源极电荷：5.8nC
● 栅极-漏极电荷：7.9nC
● 开机延迟时间：7.5ns
● 上升时间：6ns
● 关闭延迟时间：29ns
● 秋季时间：7.5ns
● 输入电容：1625pF
● 输出电容：438pF
● 反向转移电容：25pF

产品规格书（部分）