供应东沅 FKBB3050 PRPAK3X3 N沟道MOS管

Fet/东沅 FKBB3050 PRPAK3x3 N沟道30V快速开关MOSFET

FKBB3050额定参数
● 漏极-源极电压：30V
● 栅源电压：±20V
● 连续漏极电流
ID@TC=25℃：40A
ID@TC=100℃：40A
● 脉冲漏极电流：100A
● 单脉冲雪崩能量：140mJ
● 雪崩电流：53A
● 总功耗：26W
● 储存温度范围：-55至150℃
● 工作接点温度范围：-55至150℃

FKBB3050电气特性
● 漏极-源极击穿电压：30V
● 静态漏极源导通电阻
VGS=10V，ID=15: 3.8mΩ
VGS=4.5V，ID=12: 5.8mΩ
● 栅极阈值电压：1.2~2.5V
● 漏源漏电流
VDS=30V，VGS=0V，TJ=25℃：1uA
VDS=30V，VGS=0V，TJ=55℃：5uA
● 栅源漏电流：±100nA
● 栅极电阻：1.7Ω
● 闸门总费用：23.4nC
● 栅极-源极电荷：11.4nC
● 栅极漏极电荷：8.2nC
● 开机延迟时间：12.6ns
● 上升时间：9.6s
● 关闭延迟时间：55ns
● 秋季时间：5.6ns
● 输入电容：2461pF
● 输出电容：383pF
● 反向传输电容：261pF

产品规格书（部分）