供应FKBB02P15 东沅P沟道MOSFET 高耐压150V

Fet/东沅 FKBB02P15 PRPAK3x3 P沟道150V快速开关MOSFET

FKBB02P15额定参数

● 漏极-源极电压：-150V
● 栅源电压：±20V
● 连续漏极电流
ID@TC=25℃：-2A
ID@TC=100℃：-1.5A
● 脉冲漏极电流：-8A
● 单脉冲雪崩能量：12.5mJ
● 雪崩电流：5A
● 总功耗：7.8W
● 储存温度范围：-55-150℃
● 工作接点温度范围：-55至150℃

电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）
● 漏极-源极击穿电压：-150V
● 静态漏极源导通电阻
VGS=-10V，ID=-1A: 650~780mΩ
VGS=-6V，ID=-0.5A: 700~980mΩ
● 栅极阈值电压：-2~-4V
● 漏源漏电流
VDS=-120V，VGS=0V，TJ=25℃：1uA
VDS=-120V，VGS=0V，TJ=55℃：30uA
● 栅源漏电流：±100nA
● 栅极电阻：5Ω12Ω20Ω
● 栅极总电荷：6.5nC 10.8nC 15.2nC
● 栅极-源极电荷：1.6nC 3.1nC 4.7nC
● 栅极-漏极电荷：1.1nC 2.2nC 3.3nC
● 开机延迟时间：21～32ns
● 上升时间：16~24s
● 关机延迟时间：40~60ns
● 秋季时间：18~27ns
● 输入电容：424pF 706pF 988pF
● 输出电容：12pF 23pF 35pF
● 反向转移电容：7pF 13pF 20pF

FKBB02P15产品规格书（部分）