供应Fet东沅 FKBA3086 场效应管MOSFET

Fet/东沅 FKBA3086 PRPAK5x6 N沟道30V快速开关MOSFET

FKBA3086额定参数

● 漏极-源极电压：30V
● 栅源电压：±20V
● 连续漏极电流
ID@TC=25℃：230A
ID@Tc=100℃：170A
D@TA=25℃：39A
ID@TA=70℃：31A
● 脉冲漏极电流：400A
● 单脉冲雪崩能量：420mJ
● 雪崩电流：41A
● 总功耗：89W
● 储存温度范围：-55至150℃
● 工作接点温度范围：-55至150℃

电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）

● 漏极-源极击穿电压：30V
● 静态漏极源导通电阻
VGS=10V，ID=20A: 0.7~0.9mΩ
VGS=4.5V，ID=20A: 1.0~1.4mΩ
● 栅极阈值电压：1.2V 1.7V 2.2V
● 漏源漏电流
VDS=24V，VGS=0V，TJ=25℃：1uA
VDS=24V，VGS=0V，TJ=55℃：5uA
● 栅源漏电流：±100nA
● 栅极电阻：1.4Ω
● 栅极总电荷（10V）：128nC
● 栅极总电荷（4.5V）：65nC
● 栅极-源极电荷：20nC
● 栅极-漏极电荷：28nC
● 开机延迟时间：38ns
● 上升时间：28ns
● 关闭延迟时间：115ns
● 秋季时间：150ns
● 输入电容：7427pF
● 输出电容：2930pF
● 反向传输电容：538pF

FKBA3086产品规格书（部分）