供应东沅 FKBA0139 单P沟道MOSFET

Fet/东沅 FKBA0139 PRPAK5x6 P通道100V快速开关MOSFET

描述
FKBA0139采用先进的沟槽MOSFET技术，可提供出色的RDS（ON）和栅极充电，用于各种治疗应用。FKBA0139符合RoHS和绿色产品的要求，100%的EAS保证，并通过了全功能可靠性认-证。

特征
● 100%EAS保证
● 绿色设备可用
● 超低栅极电荷
● 出色的Cdv/dt效应下降
● 先进的高细胞密度挖沟技术

电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）
● 漏极-源极击穿电压：-100V
● 静态漏极源导通电阻
VGS=-10V，ID=-8A: 42~50mΩ
VGS=-4.5V，ID=-6A: 46~55mΩ
● 栅极阈值电压：-1.2V-1.8V-2.5V
● 漏源漏电流：-1uA
● 栅源漏电流：±100nA
● 正向跨导：32S
● 栅极总电荷（10V）：92nC
● 栅极-源极电荷：17.5nC
● 栅极-漏极电荷：14nC
● 开机延迟时间：20.5ns
● 上升时间：32.2ns
● 关闭延迟时间：123ns
● 秋季时间：63.7ns
● 输入电容：6516pF
● 输出电容：223pF
● 反向转移电容：125pF

产品规格书（部分）