供应蓝箭电子 BRB80N08 N沟道MOS场效应管

地区:广东 深圳
认证:

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BlueRocket/蓝箭电子 BRB80N08 TO-263塑封封装N沟道MOS场效应管


BRB80N08 Descriptions

N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package.


Electrical Characteristics(Ta=25℃)

● Drain-Source Breakdown Voltage: 80V

● Zero Gate Voltage Drain Current
VDS=80V VGS=0V: 1.0μA
VDS=80V VGS=0V TJ=125℃:10μA
● Gate-Body Leakage Current Forward: ±0.1μA
● Gate Threshold Voltage: 2~4V
● Static Drain-Source On-Resistance: 8.5~11mΩ 
● Forward Transconductance: 58S
● Drain-Source Diode Forward Voltage: 1.3V
● Input Capacitance: 3200pF
● Output Capacitance: 330pF
● Reverse Transfer Capacitance: 260pF
● Turn-On Delay Time: 20ns
● Turn-On Rise Time: 17.8ns
● Turn-Off Delay Time: 76.8ns
● Turn-Off Fall Time: 15.7ns


BRB80N08产品规格书(部分)


型号/规格

BRB80N08

品牌/商标

BlueRocket/蓝箭电子

封装形式

TO-263

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

QQ

1186670662

资质

代理

货源

原厂

可售卖地

全国