供应BRD15N10 蓝箭N沟道MOS管 TO-252封装

BlueRocket/蓝箭电子 BRD15N10 TO-252塑封封装N沟道MOS场效应管

描述

TO-252塑封封装N沟道场效应管。

特征

RDS(on)小，门电荷低，Ciss小，开关速度快。无卤产品。

用途

BRD15N10用于低压电路如：汽车电路、DC/DC 转换、便携式产品的电源高效转换。

电性能参数（Ta=25℃）
● 零栅极电压漏极电流：100V
● 零栅极电压漏极电流
VDS=100V VGS=0V: 1.0μA
TJ=125℃：50μA
● 门体正向漏电流：±100nA
● 栅极阈值电压：1V 1.9V 3V
● 静态漏极源导通电阻
VGS=10V ID=8.5A: 75~90mΩ
TJ=125℃：142mΩ
● 漏源二极管正向电压：1.0~1.2V
● 栅极电阻：1.3Ω
● 输入电容：250pF
● 输出电容：125pF
● 反向转移电容：20pF
● 栅极总电荷（10V）：5.8nC
● 栅极总电荷（4.5V）：2.8nC
● 栅极-源极电荷：1.1nC
● 栅极-漏极电荷：1.2nC
● 开机延迟时间：6ns
● 开机上升时间：2.8ns
● 关闭延迟时间：18ns
● 关闭下降时间：2.5ns

BRD15N10产品规格书（部分）